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Transistors

2377 articles disponibles
2377 articles disponibles

Affichage 21 articles: IHW20T120 à IRF1010E (Page 71 sur 114)

Transistor IHW20T120

IHW20T120
23.35€ TTC
126 En stock
126 En stock

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 40A. Puissance: 178W. Vce(sat): 1.7V. Boîtier: TO-247AC. td(On): 50ns. td(Off): 560ns

 
 
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Transistor IHW30N120R2

IHW30N120R2
22.96€ TTC
17 En stock
17 En stock

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 60A. Puissance: 390W. Vce(sat): 1.65V. Boîtier: TO-247AC. td(On): 860ns. td(Off): 792ns

 
 
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Transistor IHW30N160R2

IHW30N160R2
23.74€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 1600V. Courant de collecteur maxi: 60A. Puissance: 312W. Vce(sat): 1.8V. Boîtier: TO-247AC. td(On): 525ns. td(Off): 564ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IKP15N60T

IKP15N60T
10.75€ TTC
103 En stock
103 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 30A. Puissance: 130W. Vce(sat): 1.65V. Boîtier: TO-220-3-1. High Speed IGBT in NPT-technology.

 
 
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Transistor IKW25T120

IKW25T120
30.69€ TTC
132 En stock
132 En stock

Transistor IGBT N 1200V 50A. Boîtier: TO-247AC. Marquage boîtier: K25T120. Tension collecteur-émetteur maxi (VBE=0): 1200V. Courant de collecteur maxi: 50A. Puissance: 190W. Vce(sat): 1.7V.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IKW30N60H3

IKW30N60H3
16.63€ TTC
18 En stock
18 En stock

N-IGBT+D 600V 60A/120Ap 187W Vce(sat)1.95V. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: KW30N60H3FKSA1 SP0007-03042. Jelzés a tokon: K30N603. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 30 A. Ic(puls): 120 A. Puis

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IKW40N120H3

IKW40N120H3
31.98€ TTC
36 En stock
36 En stock

Transistor IGBT N 1200V 80A. 483W. Vce(sat): 2.05V.

 
 
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Transistor IKW50N60H3

IKW50N60H3
21.50€ TTC
156 En stock
156 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 100A. Puissance: 333W. Vce(sat): 1.85V. Boîtier: TO-247(AC). IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology. td(on): 23ns / td(off): 235ns

 
 
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Transistor IKW50N60T

IKW50N60T
23.30€ TTC
54 En stock
54 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 80A. Puissance: 330W. Vce(sat): 1.5V. Boîtier: TO-247(AC). IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology. Td(on): 26ns / Td(off): 299ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IKW75N60T

IKW75N60T
25.70€ TTC
65 En stock
65 En stock

N-IGBT+D 600V 80A/225Ap 428W Vce(sat)1.5V. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: IKW50N60TFKSA1. Jelzés a tokon: K75T60. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 80 A. Ic(T-100°C): 75 A. Ic(puls): 225 A. Puissance: 428 W. V

 
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Tarifs dégressifs

Transistor IP3002

IP3002
22.29€ TTC
1 En stock
1 En stock

Transistor IP3002 Power Factor Correction 8p. DIP-8. Constructeur: INTERPION.

 
 
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Transistor IPA60R600E6

IPA60R600E6
7.95€ TTC
2 En stock
2 En stock

Transistor IPA60R600E6 N-MOS 650V 7.3A 28W 0.54R(4.6A)TO220F. Cool Mos E6 POWER trafnsistor. ID puls: 19A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220FP-3 Fully isolated packages(2500VAC:1minute. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.3 A.

 
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Transistor MOSFET canal-N IPB80N06S2-07

IPB80N06S2-07
9.02€ TTC
98 En stock
98 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 55V 80A/320Ap 250W. Résistance passante RDSon : 0.0056 Ohms (80A) TO263

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IPB80N06S2-08

IPB80N06S2-08
7.00€ TTC
218 En stock
218 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 55V 80A/320Ap 215W. Résistance passante RDSon : 0.0065 Ohms (80A) TO263

 
 
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Transistor MOSFET canal-N IPB80N06S2-09

IPB80N06S2-09
7.67€ TTC
159 En stock
159 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 55V 80A/320Ap 190W. Résistance passante RDSon : 0.0076 Ohms (80A) TO263

 
 
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Transistor MOSFET canal-N IPD050N03L-GATMA1

IPD050N03L-GATMA1
3.08€ TTC
10 En stock
10 En stock

Transistor MOSFET canal-N SMD 30V 50A/350Ap 68W. Résistance passante RDSon : 0.0076 Ohms (50A) TO252

 
 
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Transistor IPD50N03S2L-06

IPD50N03S2L-06
5.94€ TTC
35 En stock
35 En stock

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 50A. Référence d'origine constructeur: IPD50N03S2L-06. Marquage boîtier: PN03L06. Boîtier: TO-252 (D-PAK). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 50A. Puissance: 136W. Résistance Rds: 7.6 milliOhms. Logic Level.

 
 
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Transistor MOSFET canal-N IPI80N06S2-08

IPI80N06S2-08
7.67€ TTC
476 En stock
476 En stock

Transistor MOSFET canal-N 55V 80A/320Ap 215W. Résistance passante RDSon : 0.0065 Ohms (80A) TO262

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRC640

IRC640
11.82€ TTC
11 En stock
11 En stock

Transistor MOSFET canal-N 200V 18A/72Ap 125W. Résistance passante RDSon : 0.18 Ohms (11A)

 
 
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Transistor IRC644

IRC644
5.99€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IRC644 N-MOS 250V 14A 125W<0.28R(8.5A. V-MOS 5p. MOS-N-FET. Constructeur: IR. HexSense. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.5 A. Rds (Ohms): 0.28. Puissance: 125 W

 
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Transistor IRF1010E

IRF1010E
4.65€ TTC
95 En stock
95 En stock

Transistor IRF1010E N-MOS 60V 84A 200W<0.12R (43A). MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 84 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.12. Puissance: 200 W

 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON