Remarque: le minimum de commande, frais de port compris, est de 12.00€. Il manque seulement 5.10€ pour le minimum. Vos quantités sont-elles suffisantes? N'avez-vous rien oublié?
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N-IGBT+D 600V 60A/120Ap 187W Vce(sat)1.95V. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: KW30N60H3FKSA1 SP0007-03042. Jelzés a tokon: K30N603. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 30 A. Ic(puls): 120 A. Puis
N-IGBT+D 600V 80A/225Ap 428W Vce(sat)1.5V. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: IKW50N60TFKSA1. Jelzés a tokon: K75T60. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 80 A. Ic(T-100°C): 75 A. Ic(puls): 225 A. Puissance: 428 W. V
Transistor IPA60R600E6 N-MOS 650V 7.3A 28W 0.54R(4.6A)TO220F. Cool Mos E6 POWER trafnsistor. ID puls: 19A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220FP-3 Fully isolated packages(2500VAC:1minute. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.3 A.